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PECVD等離子沉積設備

  • 產(chǎn)品型號:
  • 更新時間:2024-10-10

簡要描述:簡要描述:PECVD等離子沉積設備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備,它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設計和直接載片的成本效益設計的優(yōu)點。從2″至8″晶片和樣品的標準應用開始,可以逐步升級以完成復雜的工藝。

產(chǎn)品詳情

PECVD等離子沉積設備

低成本效益高

PECVD等離子體增強化學氣相沉積設備Depolab 200將平行板等離子體源設計與直接載片相結(jié)合。

升級擴展性

根據(jù)其模塊化設計,PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組,低頻射頻源和更多的氣路。

SENTECH控制軟件

強大的用戶友好軟件包括模擬圖形用戶界面,參數(shù)窗口,工藝處方編輯窗口,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。


Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備,它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設計和直接載片的成本效益設計的優(yōu)點。從2″至8″晶片和樣品的標準應用開始,可以逐步升級以完成復雜的工藝。

PECVD Depolab 200的顯著特點是系統(tǒng)的可靠設計,軟件和硬件的靈活性。在該設備上開發(fā)了不同的工藝,例如用于高質(zhì)量氮化硅和氧化硅層的沉積。PECVD Depolab 200包括帶氣路柜的反應腔體,電子控制,計算機、前級泵和配電箱。

Depolab 200 等離子增強沉積設備用于在從室溫到400℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特別適用于沉積用于刻蝕掩膜,電隔離膜及其他的介質(zhì)膜。

PECVD Depolab 200由SENTECH的控制軟件操作,使用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。

  • Depolab 200


  • 等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設備

  • 開蓋載片

  • 適用于大到200mm的晶片

  • 襯底溫度可高達400?°C

  • 可選低頻射頻降低應力

  • 干泵組

  • 占地面積小

  • PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)等離子沉積設備是一種先進的材料表面處理技術(shù),廣泛應用于半導體制造、光伏產(chǎn)業(yè)、防護涂層及生物醫(yī)學等多個領(lǐng)域。該技術(shù)通過利用等離子體的能量激活化學反應,在基材表面沉積出具有特定性能的薄膜,具有低溫過程、高附著力和均勻性、優(yōu)異的覆蓋能力以及環(huán)境友好等顯著特點。以下是對PECVD等離子沉積設備的詳細產(chǎn)品介紹。### 一、技術(shù)原理PECVD技術(shù)結(jié)合了等離子體物理與化學氣相沉積的優(yōu)勢,通過射頻等手段使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體。等離子體中的高能電子、離子和自由基等活性粒子與氣體分子發(fā)生碰撞,促進化學反應的進行,從而在基材表面沉積出所需的薄膜。這一過程不僅降低了沉積溫度,還提高了沉積速率和薄膜質(zhì)量。### 二、設備特點1. **高真空系統(tǒng)**:PECVD設備通常配備有高真空系統(tǒng),由雙級旋片真空泵和分子泵組成,以確保反應腔體內(nèi)的高真空度,有利于減少雜質(zhì)干擾,提高薄膜質(zhì)量。2. **精確的氣體控制系統(tǒng)**:設備采用數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng),由多路質(zhì)量流量計、流量顯示儀等組成,實現(xiàn)對氣體流量的精確測量和控制。同時,每條氣體管路均配備高壓逆止閥,保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性。3. **模塊化設計**:PECVD設備往往采用模塊化設計,便于根據(jù)實際需求進行升級和擴展。例如,可以升級為更大的真空泵組、低頻射頻源和更多的氣路,以滿足不同工藝的需求。4. **先進的控制系統(tǒng)**:設備配備有先進的控制軟件,通過遠程現(xiàn)場總線技術(shù)和用戶友好的圖形用戶界面,實現(xiàn)對工藝參數(shù)的精確控制和實時監(jiān)控。用戶可以通過參數(shù)窗口、工藝處方編輯窗口等功能,輕松設置和調(diào)整工藝參數(shù)。5. **廣泛的適用性**:PECVD設備適用于多種材料的薄膜沉積,包括氧化硅、氮化硅、碳膜等。同時,其優(yōu)異的覆蓋能力使得該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對復雜形狀基材的均勻涂覆。### 三、應用領(lǐng)域1. **半導體制造**:在半導體設備生產(chǎn)中,PECVD技術(shù)用于沉積氧化硅、氮化硅等介電層,這些層是制造現(xiàn)代集成電路。通過精確控制薄膜的厚度和均勻性,PECVD技術(shù)有助于提高半導體器件的性能和可靠性。2. **光伏產(chǎn)業(yè)**:PECVD被廣泛應用于太陽能板的生產(chǎn)過程中,特別是在沉積硅薄膜和透明導電氧化物(TCO)層方面。






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