簡(jiǎn)要描述：化學(xué)氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應(yīng)或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造高質(zhì)量與高性能的固體材料。因此，該制程通常在半導(dǎo)體工業(yè)中用于制造薄膜。

簡(jiǎn)要描述：PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì)，PECVD Depolab 200可升級(jí)為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。

簡(jiǎn)要描述：帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD的特色是預(yù)真空室和干泵裝置，用于無(wú)油、高產(chǎn)量和潔凈的化學(xué)氣相沉積過(guò)程。

簡(jiǎn)要描述：等離子沉積設(shè)備SI 500 D低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

簡(jiǎn)要描述：化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相沉積工藝。

簡(jiǎn)要描述：三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備，以滿(mǎn)足研發(fā)的要求。樣品可以通過(guò)預(yù)真空室和/或真空片盒站加載。

簡(jiǎn)要描述：SENTECH二維材料刻蝕沉積能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線(xiàn)輻射或離子轟擊。

簡(jiǎn)要描述：原子層沉積設(shè)備：真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線(xiàn)輻射或離子轟擊。

簡(jiǎn)要描述：PECVD等離子沉積設(shè)備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計(jì)和直接載片的成本效益設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。從2″至8″晶片和樣品的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用開(kāi)始，可以逐步升級(jí)以完成復(fù)雜的工藝。

簡(jiǎn)要描述：帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相沉積工藝。